کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11008970 | 1840427 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comments on “A theoretical study on the linearity of the Id-T curve of a SiC MESFET for sensor application”
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this article, the validity of the formulation presented in a recent paper has been questioned. It is pointed out that the built-in potential at the gate of a metal-semiconductor field effect transistor has been erroneously considered, as a result of which the related mathematical formulations and calculations presented in the paper become invalid.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 123, November 2018, Pages 456-457
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 123, November 2018, Pages 456-457
نویسندگان
Manas Pal,