| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 11026999 | 1666335 | 2019 | 38 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanoscale etching of III-V semiconductors in acidic hydrogen peroxide solution: GaAs and InP, a striking contrast in surface chemistry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
AFMTXRFINPTOF-ERDA - Berk-ERDASurface chemistry - شیمی سطحXPS - طیف نگاری فوتوالکترونی اشعه ایکسICP-MS - طیف‌سنجی جرمی پلاسمای جفت‌شده القاییinductively coupled plasma mass spectrometry - طیف‌سنجی جرمی پلاسمای جفت‌شده القاییIndium phosphide - فسفید هندوانهReaction mechanisms - مکانیزم واکنشatomic force microscopy - میکروسکوپ نیروی اتمیTotal reflection X-ray fluorescence - کل بازتاب اشعه ایکس اشعه ماوراء بنفشGallium arsenide - گالسیوم آرسنیدGaAs - گالیم آرسنید
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 465, 28 January 2019, Pages 596-606
Journal: Applied Surface Science - Volume 465, 28 January 2019, Pages 596-606
نویسندگان
Dennis H. van Dorp, Sophia Arnauts, Mikko Laitinen, Timo Sajavaara, Johan Meersschaut, Thierry Conard, John J. Kelly,