کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1447092 | 988635 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase-field simulations of thickness-dependent domain stability in PbTiO3 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The phase-field approach is used to predict the effect of thickness on domain stability in ferroelectric thin films. The mechanism of strain relaxation and the critical thickness for dislocation formation from both the Matthews–Blakeslee and People–Bean models are employed. Thickness–strain domain stability diagrams are obtained for PbTiO3 thin films for different strain relaxation models. The relative domain fractions as a function of film thickness are also calculated and compared with experimental measurements in PbTiO3 thin films grown on SrTiO3 and KTaO3 substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Acta Materialia - Volume 60, Issue 8, May 2012, Pages 3296–3301
Journal: Acta Materialia - Volume 60, Issue 8, May 2012, Pages 3296–3301
نویسندگان
G. Sheng, J.M. Hu, J.X. Zhang, Y.L. Li, Z.K. Liu, L.Q. Chen,