کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1449945 | 988718 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Frank Read sources in semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Dislocations in semiconductors can start to multiply at Frank Read sources. Since in the pre-yield region they are aligned along the 〈1 1 0〉 directions, it is possible to calculate the energy of a bow-out analytically and to derive an expression for the stress necessary to activate a Frank Read source. For the hexagonal loops emitted, there exists a metastable equilibrium configuration, and the stress dependence of its magnitude and shape has been determined.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Acta Materialia - Volume 55, Issue 6, April 2007, Pages 2043–2047
Journal: Acta Materialia - Volume 55, Issue 6, April 2007, Pages 2043–2047
نویسندگان
Gunther Schoeck,