کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1508095 | 993951 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Significant aspects of minority-carrier injection in dynamic-threshold SOI MOSFET at low-temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper demonstrates significant aspects of low-temperature minority-carrier injection in n-channel dynamic-threshold (DT) MOSFET having various silicon-on-insulator (SOI) layer thicknesses. Drain current vs. gate voltage and gate current vs. gate voltage characteristics are evaluated at temperatures ranging from 300 K to 30 K, and minority-carrier injection is characterized. Impacts of temperature, channel length, and silicon-on-insulator layer thickness on opposite drain current behavior are discussed by examining transconductance behavior.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Cryogenics - Volume 49, Issue 11, November 2009, Pages 611–614
Journal: Cryogenics - Volume 49, Issue 11, November 2009, Pages 611–614
نویسندگان
Yasuhisa Omura, Takayuki Tochio,