کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1542993 | 997396 | 2013 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanostructured silicon geometries for directly bonded hybrid III-V-silicon active devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Role of geometry in nanostructured silicon cladding for hybrid silicon devices. ⺠Nanostructures optimized for thermal and photonic functionalities. ⺠Subwavelength regime assessment vs. technology constraint. ⺠Novel use of Southwell's flip-flop optimization principle for cladding with good thermal performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications - Volume 11, Issue 2, May 2013, Pages 145-156
Journal: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications - Volume 11, Issue 2, May 2013, Pages 145-156
نویسندگان
C. Pang, H. Benisty,