کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1542993 997396 2013 12 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanostructured silicon geometries for directly bonded hybrid III-V-silicon active devices
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Nanostructured silicon geometries for directly bonded hybrid III-V-silicon active devices
چکیده انگلیسی
► Role of geometry in nanostructured silicon cladding for hybrid silicon devices. ► Nanostructures optimized for thermal and photonic functionalities. ► Subwavelength regime assessment vs. technology constraint. ► Novel use of Southwell's flip-flop optimization principle for cladding with good thermal performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications - Volume 11, Issue 2, May 2013, Pages 145-156
نویسندگان
, ,