کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1543133 | 1512838 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High performance AlxGa1âxN-based avalanche photodiodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report high performance solar-blind photodetectors with reproducible avalanche gain as high as 820 under ultraviolet illumination. The solar-blind photodetectors have a sharp cut-off around 276Â nm. We improved the device performance by designing different epitaxial wafer structure with thinner active multiplication layer. We compare the resulting fabricated devices from these wafers in terms of dark current, photoresponse, avalanche gain performances.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications - Volume 5, Issues 2â3, October 2007, Pages 140-144
Journal: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications - Volume 5, Issues 2â3, October 2007, Pages 140-144
نویسندگان
Turgut Tut, Bayram Butun, Mutlu Gokkavas, Ekmel Ozbay,