کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1544823 | 1512898 | 2013 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
New optoelectronic materials: Effects of annealing upon the formation of epitaxial iron silicide nanostructures on Si(001)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Epitaxial iron silicide nanostructures were grown on Si(001) by solid phase reaction. ⺠Size and shape of the nanoobjects changed as a function of annealing time. ⺠Fe-related defects dominated in all samples depending on the time of annealing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 51, June 2013, Pages 79-86
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 51, June 2013, Pages 79-86
نویسندگان
G. Molnár, L. Dózsa, Z. Vértesy, Zs.J. Horváth,