کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1544911 1512900 2013 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tunnel magnetoresistance of Cn−2X2 (n=60, 70; X=N, B) molecular bridge
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Tunnel magnetoresistance of Cn−2X2 (n=60, 70; X=N, B) molecular bridge
چکیده انگلیسی
► The formalism of Landauer based on the Non-equilibrium Green's function was applied. ► We calculate the spin-polarized coherent transport of the Cn−2X2(n=60 70; X=N, B). ► The doped atoms (N and B) reduce the TMR maximum values of fullerenes. ► The values shift to a higher voltage in the regime of low source-drain voltage. ► Applied gate voltage increases the TMR maximum values of C58X2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 49, March 2013, Pages 18-24
نویسندگان
, ,