کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1545351 | 997591 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Direct observation of single InAs/GaAs quantum dot spectrum without mesa or mask
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Photoluminescence spectra of single InAs/GaAs quantum dot are obtained on the crude surface of several low-dot-density samples, using a pinhole placed in the beam path. Considering the light diffraction, an optimal spectrum which corresponds to the least excited quantum dots can be detected as the pinhole size decreases. Cryostat temperature also influences quality of these spectra via shifting carrier diffusion length in wetting layer to change the number of quantum dots excited. With this method, intrinsic properties of individual quantum dot can be clearly studied because of the undamaged surface in contrast to the mesa or mask approach.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 5, March 2009, Pages 797–800
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 5, March 2009, Pages 797–800
نویسندگان
Jian-Shun Tang, Chuan-Feng Li, Ming Gong, Geng Chen, Yang Zou, Jin-Shi Xu, Guang-Can Guo,