کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1545440 | 997594 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanoscale order in GaAs:(B, Sb)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Self-assembling of 1B4Sb and 4B10Sb clusters in GaAs:(B, Sb) is represented. ⺠1B4Sb and 4B10Sb cluster formations are competitive processes. ⺠1B4Sb clusters form only if boron is a minority impurity. ⺠4B10Sb clusters form mainly at the other impurity conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 43, Issue 10, August 2011, Pages 1874-1877
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 43, Issue 10, August 2011, Pages 1874-1877
نویسندگان
V.A. Elyukhin,