کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1545440 997594 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanoscale order in GaAs:(B, Sb)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Nanoscale order in GaAs:(B, Sb)
چکیده انگلیسی
► Self-assembling of 1B4Sb and 4B10Sb clusters in GaAs:(B, Sb) is represented. ► 1B4Sb and 4B10Sb cluster formations are competitive processes. ► 1B4Sb clusters form only if boron is a minority impurity. ► 4B10Sb clusters form mainly at the other impurity conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 43, Issue 10, August 2011, Pages 1874-1877
نویسندگان
,