کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1545444 | 997594 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of uniaxial strain on the subthreshold swing of ballistic carbon nanotube FETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠I investigate the effect of uniaxial strain on the subthreshold swing of the CNTFET. ⺠I present a qualitative description of the quantum capacitance. ⺠The subthreshold swing strongly changes by applying uniaxial strain. ⺠The results show that the uniaxial strain can be used for the ultra-low power applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 43, Issue 10, August 2011, Pages 1896-1901
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 43, Issue 10, August 2011, Pages 1896-1901
نویسندگان
R. Yousefi,