کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1545659 | 997598 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Abnormal temperature dependent photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs surface quantum dots with high areal density
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Abnormal temperature dependent photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs surface quantum dots with high areal density Abnormal temperature dependent photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs surface quantum dots with high areal density](/preview/png/1545659.png)
چکیده انگلیسی
We have investigated temperature dependent photoluminescence of both buried and surface self-assembled InAs/GaAs quantum dots with an areal density up to ∼1011/cm2. Different from the buried quantum dots, the peak energy of surface quantum dots shows a blueshift relative to the bulk material variation from 15 to 130 K. Besides the line width and the integrated intensity both first decrease and then increase in this temperature interval. The observed phenomena can be explained by carrier trapping effects by some shallow localized centers near the surface quantum dots.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 9, July 2010, Pages 2455–2459
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 9, July 2010, Pages 2455–2459
نویسندگان
X.L. Zhou, Y.H. Chen, J.Q. Liu, B. Xu, X.L. Ye, Z.G. Wang,