کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1545661 | 997598 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Doping dependence of the G-band Raman spectra of an individual multiwall carbon nanotube
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present a gate-dependent Raman spectroscopy and electric transport measurements of an individually connected multiwall carbon nanotube in the field-effect transistor configuration at room temperature. We discuss the origin of the four distinct sharp modes in the G-band feature. The overall G-band is blueshifted by tuning the Fermi level under a back-gate voltage. Each mode experiences different energy shifts symmetrical for n and p doping. Assuming that the four peaks can be tentatively assigned to four different shells of the multiwall carbon nanotube, we propose a simple quantitative analysis which unravels intershell charge transfer within the nanotube.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 9, July 2010, Pages 2466–2470
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 9, July 2010, Pages 2466–2470
نویسندگان
Sebastien Nanot, Marius Millot, Bertrand Raquet, Jean-Marc Broto, Arnaud Magrez, Jesus Gonzalez,