کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1545722 | 997600 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Anisotropic strain relaxation of thin Fe film on c(4Ã4) reconstructed GaAs (0Â 0Â 1) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the interplay between the anisotropic strain relaxation and the in-plane uniaxial magnetic anisotropy in a 5Â nm Fe film grown on GaAs (0Â 0Â 1) by molecular-beam epitaxy. Tetragonal distortion and in-plane anisotropic strain relaxation were accurately measured by synchrotron X-ray diffraction. A stronger coherence at the interface between Fe and GaAs is also observed in the annealed film. A competing model including magnetocrystalline anisotropy, interface anisotropy, and magnetoelastic anisotropy is proposed to characterize the in-plane magnetic anisotropy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 2, December 2009, Pages 150-153
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 2, December 2009, Pages 150-153
نویسندگان
J. Lu, P.F. Xu, Y.G. Zhu, H.J. Meng, L. Chen, W.Z. Wang, X.H. Zhang, J.H. Zhao, G.Q. Pan,