کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1545804 | 997602 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electric-pulse-induced resistance switching observed in ZnO nanotube point contact system
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Based on the scanning tunneling microscopy (STM) techniques, we successfully completed a novel two-terminal electron transport measurement on individual zinc oxide (ZnO) nanotube. This method enabled us to set one of these two metal-semiconductor contacts as a point contact. In this system, we found ZnO nanotube exhibit reproducible polarized memory effect and electrical-pulse-induced resistance switching effect. We suggested a phenomenological model to explain the observed effects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 4, February 2010, Pages 791-794
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 4, February 2010, Pages 791-794
نویسندگان
Peng Liu, Guangwei She, Wensheng Shi, Dongmin Chen,