کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1545822 | 997602 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fano-Kondo effect in side-coupled double quantum dot
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We simulate the Kondo effect in an embedded quantum dot (QD) which is coupled to a side QD in the tight-binding model. The effect of the Coulomb interaction in the embedded QD is taken into account by the slave boson mean field theory. An analytic form of the conductance is derived by employing the scattering matrix formalism, and is expressed in terms of the Fano parameter and the broadening which are related to the tight-binding parameters. By analyzing the energy dependence of the conductance, we demonstrate that the Kondo effect is strongly modulated by the Fano effect as observed in a recent experiment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 4, February 2010, Pages 864-867
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 4, February 2010, Pages 864-867
نویسندگان
Hiroyuki Tamura, Satoshi Sasaki,