کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1545834 997602 2010 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of minibands and electronic transport in one-dimensional stacks of InAs/GaAs quantum dots
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Modeling of minibands and electronic transport in one-dimensional stacks of InAs/GaAs quantum dots
چکیده انگلیسی

We investigate the effect of the electron miniband energy spectrum of periodic 1D stacks of disk-shaped InAs quantum dots in GaAs on their electronic transport characteristics. The widely used approximation of a constant relaxation time is not adequate for a stack of semiconductor quantum dots. Certain windows of concentration are revealed, where arrays of quantum dots possess a geometry-controlled enhanced efficiency as thermoelectric converters.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 4, February 2010, Pages 906–910
نویسندگان
, ,