کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1545834 | 997602 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of minibands and electronic transport in one-dimensional stacks of InAs/GaAs quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigate the effect of the electron miniband energy spectrum of periodic 1D stacks of disk-shaped InAs quantum dots in GaAs on their electronic transport characteristics. The widely used approximation of a constant relaxation time is not adequate for a stack of semiconductor quantum dots. Certain windows of concentration are revealed, where arrays of quantum dots possess a geometry-controlled enhanced efficiency as thermoelectric converters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 4, February 2010, Pages 906–910
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 4, February 2010, Pages 906–910
نویسندگان
V.M. Fomin, P. Kratzer,