کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1545863 | 997602 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Landau level crossing and pseudospin phase transitions in Si quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Landau level crossing and pseudospin phase transitions in Si quantum wells Landau level crossing and pseudospin phase transitions in Si quantum wells](/preview/png/1545863.png)
چکیده انگلیسی
Magnetotransport properties are studied for a high mobility Si two-dimensional electron system by in situ tilting of the sample relative to the magnetic field. In contrast to the resistance spike in the quantum Hall regions, a pronounced dip in the longitudinal resistivity is observed during the Landau level crossing process for noninteger filling factors. Hysteresis behavior indicates that the transition from the conducting state to the insulating state, where the pseudospin is unpolarized, is the first-order phase transition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 4, February 2010, Pages 1018-1021
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 4, February 2010, Pages 1018-1021
نویسندگان
Kohei Sasaki, Ryuichi Masutomi, Kiyohiko Toyama, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Tohru Okamoto,