کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1545873 | 997603 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
How thick SiO2 cap layer is needed to achieve strong visible photoluminescence from SiO2-buffered SiNx films?
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effect of a SiO2 nanolayer and annealing temperature on the UV/visible room-temperature photoluminescence (PL) from SiNx films synthesized by rf magnetron sputtering is studied. The PL intensity can be maximized when the SiO2 layer is 5-10 nm thick at 800 °C annealing temperature and only 2 nm at 1000 °C. A composition-structure-property analysis reveals that the PL intensity is directly related to both the surface chemical states and the content of the Si-O and Si-N bonds in the SiNx films. These results are relevant for the development of advanced optoelectronic and photonic emitters and sensors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 8, June 2010, Pages 2016-2020
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 8, June 2010, Pages 2016-2020
نویسندگان
M. Xu, Q.Y. Chen, S. Xu, K. Ostrikov, Y. Wei, Y.C. Ee,