کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546096 | 997608 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photogalvanic in ultrathin film of topological insulator
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work, we study the photogalvanic effect on an ultrathin film of topological insulator Bi2Se3 family. we find that there is photocurrent when circularly polarized light shines obliquely on the ultrathin film if there is an asymmetric potential between the two surfaces. There is no current when the light is linearly polarized.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 44, Issue 5, February 2012, Pages 895–899
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 44, Issue 5, February 2012, Pages 895–899
نویسندگان
Quan Sheng Wu, Sheng Nan Zhang, Zhong Fang, Xi Dai,