کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546099 | 997608 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Scanning tunneling microscopy studies of topological insulators
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We summarize our recent scanning tunneling microscopy (STM) study of topological insulator thin films grown by molecular beam epitaxy (MBE), which includes the observation of electron standing waves on topological insulator surface and the Landau quantization of topological surface states. The work has provided valuable information to the understanding of intriguing properties of topological insulators, as predicted by theory.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 44, Issue 5, February 2012, Pages 912–916
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 44, Issue 5, February 2012, Pages 912–916
نویسندگان
Peng Cheng, Tong Zhang, Ke He, Xi Chen, Xucun Ma, Qikun Xue,