کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1546099 997608 2012 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Scanning tunneling microscopy studies of topological insulators
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Scanning tunneling microscopy studies of topological insulators
چکیده انگلیسی

We summarize our recent scanning tunneling microscopy (STM) study of topological insulator thin films grown by molecular beam epitaxy (MBE), which includes the observation of electron standing waves on topological insulator surface and the Landau quantization of topological surface states. The work has provided valuable information to the understanding of intriguing properties of topological insulators, as predicted by theory.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 44, Issue 5, February 2012, Pages 912–916
نویسندگان
, , , , , ,