کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546157 | 997610 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation and characterization of SiOx nanowires and Si/SiOx core-shell nanowires via carbon-assisted growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Large amount of SiOx nanowires and Si/SiOx core-shell nanowires on silicon wafer had been synthesized through carbon-assisted growth. Carbon-assisted growth was employed in this study due to the lack of contamination from metallic catalysts and cheaper raw materials. The nanowires produced had length up to 100 μm and diameter ranging from 20 to 40 nm. In this study, increasing the growth temperature (1100, 1200 and 1300 °C) caused a change in the morphology of the nanowires from SiOx to Si/SiOx core-shell structures while increasing the soaking time of the heating profile (1, 2 and 4 h) increased the length of nanowires.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 5, March 2010, Pages 1338–1342
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 5, March 2010, Pages 1338–1342
نویسندگان
Yi L. Chiew, Kuan Y. Cheong,