کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546188 | 997610 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature dependence of current–voltage characteristics of gold–strontium titanate thin film Schottky diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Gold–strontium titanate (Au–STO) Schottky diode is fabricated using pulsed laser deposition technique. The current–voltage characteristics of the device show non-linear behavior. The junction parameters such as ideality factor, barrier height, and series resistance are calculated using Cheung and Norde's methods. The effect of temperature on diode parameters is studied in details. It is observed that the barrier height varies almost linearly with temperature and the values increase from 0.39 to 0.72 eV in temperature range 150–300 K. The ideality factor decreases from 18 to 3 with increase in temperature from 150 to 300 K. High ideality factor suggests formation of non-ideal Schottky junction between gold and STO.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 5, March 2010, Pages 1509–1512
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 5, March 2010, Pages 1509–1512
نویسندگان
R.K. Gupta, K. Ghosh, P.K. Kahol,