کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546228 | 997610 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of the two-dimensional Datta–Das spin field effect transistor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An analytical expression is derived for the conductance modulation of a ballistic two-dimensional Datta–das spin field effect transistor (SPINFET) as a function of gate voltage. Using this expression, we show that the recently observed conductance modulation in a two-dimensional SPINFET structure does not match the theoretically expected result very well. This calls into question the claimed demonstration of the SPINFET and underscores the need for further careful investigation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 5, March 2010, Pages 1736–1740
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 5, March 2010, Pages 1736–1740
نویسندگان
P. Agnihotri, S. Bandyopadhyay,