کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546483 | 997615 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron–phonon coupling in nanodevices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We study theoretically the manifestation of the nonadiabaticity of the electron–longitudinal optical (LO)-phonon small open system of a quantum dot. This nonadiabaticity has an influence on the current–voltage characteristics of the nanotransistor. The nanotransistor is represented by a semiconductor quantum dot with the attached source and the drain electrodes, together with a gate. Under a certain asymmetry of the contacts the electron–optical phonon interaction, causing the electronic states occupation upconversion, is shown to lead to a creation of a spontaneous voltage between the source and drain or, alternatively, to a spontaneous current in case when the source and the drain are shunted.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 3, January 2010, Pages 618–621
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 3, January 2010, Pages 618–621
نویسندگان
Karel Král, Chung-Yi Lin,