کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546524 | 997616 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oscillator strengths of electron quantum transitions in spherical nano-systems with donor impurity in the center
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The exact solutions of Schrodinger equation for the electron in Coulomb field of donor impurity are obtained within the effective masses approximation and dielectric continuum model for the spherical quantum dot CdS/SiO2 and anti-dot ZnS/CdxZn1âxS. The dependences of electron energy spectrum and its probability density on nano-system radius are studied. The numeric calculations and analysis of oscillator strength of intersubband quantum transition from ground into first excited state at the varying radius are performed. It is shown that the oscillator strength for the big quantum dot is close to the respective value for the bulk semiconductor crystal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 8, August 2009, Pages 1522-1526
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 8, August 2009, Pages 1522-1526
نویسندگان
V.A. Holovatsky, O.M. Makhanets, O.M. Voitsekhivska,