کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546587 | 997618 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of the InN film ammonification technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth and characterization of the InN film ammonification technique Growth and characterization of the InN film ammonification technique](/preview/png/1546587.png)
چکیده انگلیسی
InN film was synthesized by ammoniating indium film on Si(1Â 1Â 1) substrates. The samples were analyzed by X-ray diffraction (XRD), X-ray photo-electron spectroscopy (XPS), atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). The XRD and TEM show that nanoparticles were hexagonal InN single crystals.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 40, Issue 3, January 2008, Pages 664-667
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 40, Issue 3, January 2008, Pages 664-667
نویسندگان
Fuxue Wang, Chengshan Xue, Huizhao Zhuang, Xiaokai Zhang, Yujie Ai, Lili Sun, Zhaozhu Yang, Hong Li,