کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1546587 997618 2008 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of the InN film ammonification technique
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Growth and characterization of the InN film ammonification technique
چکیده انگلیسی
InN film was synthesized by ammoniating indium film on Si(1 1 1) substrates. The samples were analyzed by X-ray diffraction (XRD), X-ray photo-electron spectroscopy (XPS), atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). The XRD and TEM show that nanoparticles were hexagonal InN single crystals.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 40, Issue 3, January 2008, Pages 664-667
نویسندگان
, , , , , , , ,