کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546646 | 997620 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of Si doping on magnetic properties of (Ga,Mn)As
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have systematically investigated the magnetic properties of Si-doped (Ga,Mn)As films. When the Si content is low, both Curie temperature (TC) and carrier density (p) decrease compared with undoped (Ga,Mn)As, whereas a monotonic increase of TC and p is observed with further increase in the doping content of Si. We discuss the possible mechanism for the changes obtained by different Si doping contents and attribute the results to a competition between the existence of SiGa (Si substitutes for Ga site) that acts as a donor and SiI (Si interstitials) which is in favor of the improvement of ferromagnetism.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 1, October 2008, Pages 84-87
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 1, October 2008, Pages 84-87
نویسندگان
W.Z. Wang, J.J. Deng, J. Lu, L. Chen, Y. Ji, J.H. Zhao,