کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546647 | 997620 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomistic simulation of the torsional buckling of single-crystalline GaN nanotubes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The responses of single-crystalline gallium nitride (GaN) nanotubes under torsion have been investigated using an atomistic simulation based on a Stillinger–Weber potential. The simulation results show that the buckling behavior of GaN nanotubes is strongly dependent on the simulation temperature, strain rate, tube length and the wall thickness of the nanotubes. The critical torsional angle decreases with the increase of simulation temperature, strain rate and thickness of the nanotube, and increases with the increase in the tube length.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 1, October 2008, Pages 88–91
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 1, October 2008, Pages 88–91
نویسندگان
Zhiguo Wang, Dengmu Cheng, Zhijie Li, Xiaotao Zu,