کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547109 | 997629 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of capacitive effects on the dynamic of a CNTFET by Monte Carlo method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present a study of carbon nanotube field effect transistors (CNTFET) operation and performance using Monte Carlo simulation including phonon scattering. In CNTFETs, operating in the quantum capacitance regime, the low driving electric field in the channel yields a high fraction of ballistic transport. In terms of ballisticity, ION/IOFF ratio and intrinsic delay, the performance of 100Â nm-long CNTFET is shown to be as high as that of much smaller Si transistors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 40, Issue 7, May 2008, Pages 2294-2298
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 40, Issue 7, May 2008, Pages 2294-2298
نویسندگان
H. Cazin d'Honincthun, H.-Nha Nguyen, S. Galdin-Retailleau, A. Bournel, P. Dollfus, J.P. Bourgoin,