کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547198 | 1512908 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical transport and 1/f1/f noise in semiconducting carbon nanotubes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigate electrical transport and noise in semiconducting carbon nanotubes. By studying carbon nanotube devices with various diameters and contact metals, we show that the ON-currents of CNFETs are governed by the heights of the Schottky barriers at the metal/nanotube interfaces. The current fluctuations are dominated by 1/f1/f noise at low-frequencies and correlate with the number of transport carriers in the device regardless of contact metal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 37, Issues 1–2, March 2007, Pages 72–77
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 37, Issues 1–2, March 2007, Pages 72–77
نویسندگان
Yu-Ming Lin, Joerg Appenzeller, Zhihong Chen, Phaedon Avouris,