کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547268 | 997631 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel spin-polarized transport effect based on double-Schottky barriers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We propose and theoretically analyze a spin-polarized transport effect in an n–n semiconductor/ferromagnetic–semiconductor heterojunction. The current–voltage properties of the structure on applying an external magnetic field are analyzed by the double Schottky barrier model. The model shows that the current saturates in both directions, and the reverse saturation currents change with the external magnetic field. In addition, the impact of the exchange energy and the temperature on the currents is also researched in detail. The numerical results point to the plausibility of incorporating spintronic into well-developed semiconductor technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 31, Issue 1, January 2006, Pages 103–106
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 31, Issue 1, January 2006, Pages 103–106
نویسندگان
Xiao-Li Tang, Huai-Wu Zhang, Hua Su, Zhi-Yong Zhong,