کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547346 | 997634 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bimodal statistic on a single dot device
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Bimodal statistic on a single dot device Bimodal statistic on a single dot device](/preview/png/1547346.png)
چکیده انگلیسی
We explore the full counting statistics of single electron tunneling through a quantum dot using a quantum point contact as non-invasive high bandwidth charge detector. The distribution of counted tunneling events is measured as a function of gate and source–drain-voltage for several consecutive electron numbers on the quantum dot. For bias voltages at which excited states become accessible we find a bimodal characteristic of the counting distribution. The bimodal distribution arises from a slow switching between different electron configurations on the dot. To characterize the switching process we analyze the time dependence of the number of electrons passing the dot in a given time.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 40, Issue 5, March 2008, Pages 1055–1058
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 40, Issue 5, March 2008, Pages 1055–1058
نویسندگان
C. Fricke, F. Hohls, W. Wegscheider, R.J. Haug,