کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547420 | 997635 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Silicon based light emitters utilizing radiation from dislocations; electric field induced shift of the dislocation-related luminescence
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The observed effect opens new possibilities for integration of a silicon based light emitter, combining the radiation from dislocations with a Stark effect based modulator.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 6, May 2009, Pages 907-911
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 6, May 2009, Pages 907-911
نویسندگان
T. Arguirov, T. Mchedlidze, M. Kittler, M. Reiche, T. Wilhelm, T. Hoang, J. Holleman, J. Schmitz,