کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547465 | 997635 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Back-illuminated silicon resonant cavity-enhanced photodetector at 1550 nm
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper a novel photodetector at 1550 nm, working at room temperature and completely silicon compatible, is reported. The detector is a resonant cavity-enhanced structure incorporating a Schottky diode back-illuminated and its working principle is based on the internal photoemission effect. The device performances in terms of responsivity are numerically calculated for different values of bottom reflectivity. Finally, a preliminary device was realized and characterized in order to validate the theoretical results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 6, May 2009, Pages 1097–1101
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 6, May 2009, Pages 1097–1101
نویسندگان
M. Casalino, L. Sirleto, L. Moretti, M. Gioffrè, G. Coppola, M. Iodice, I. Rendina,