کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547483 | 997636 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of the built-in electric field on luminescent properties in self-formed single-GaN/AlxGa1âxN quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Based on the framework of effective-mass approximation and variational approach, the luminescent properties are investigated theoretically in self-formed wurtzite GaN/AlxGa1âxN single-quantum dots (QDs). Considering the three-dimensional (3D) confinement of electron and hole pair and the strong built-in electric field effects, the exciton binding energy, the emission wavelength and the oscillator strength are calculated with and without the built-in electric field in detail. The results elucidate that the strong built-in electric field has a significant influence on luminescent properties of GaN/AlxGa1âxN QDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 39, Issue 2, September 2007, Pages 209-213
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 39, Issue 2, September 2007, Pages 209-213
نویسندگان
X. Zhao, S.Y. Wei, C.X. Xia,