کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547547 | 1512909 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gate-controlled de Haas-van Alphen effect in an interacting two-dimensional electron system
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have measured the de Haas-van Alphen (dHvA) oscillations of a gated two-dimensional electron system formed in a modulation-doped AlGaAs/GaAs heterojunction by means of a novel and highly sensitive cantilever magnetometer. We achieve a sensitivity of 5Ã10-16J/T at a magnetic field B=10T by detecting the deflection of the cantilever using a fiber optic interferometer. The dHvA oscillation at ν=1 yields a thermodynamic energy gap that scales linearly with the applied magnetic field for B>3T. The slope corresponds to an exchange enhanced g factor g*=3.5±0.3 originating from electron-electron interaction in the spin-polarized state of the 2DES.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 34, Issues 1â2, August 2006, Pages 172-175
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 34, Issues 1â2, August 2006, Pages 172-175
نویسندگان
J.I. Springborn, N. Ruhe, Ch. Heyn, M.A. Wilde, D. Heitmann, D. Grundler,