کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547569 | 1512909 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Small mass enhancement near the metal-insulator transition in gated silicon inversion layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The strong resistivity changes in the metallic state of two-dimensional electron systems have recently been assigned to quantum interaction corrections in the ballistic regime. We have performed analysis of Shubnikov-de Haas oscillations on high-mobility silicon inversion layers where we have explicitly taken into account that the back scattering angle has different influence on momentum relaxation and quantum life time. The consistent analysis under the assumption of the ballistic interaction corrections leads to smaller increase of the effective mass with decreasing electron density as usually reported.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 34, Issues 1â2, August 2006, Pages 256-259
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 34, Issues 1â2, August 2006, Pages 256-259
نویسندگان
B. Lindner, G. Pillwein, G. Brunthaler, J. Ahopelto, M. Prunnila,