کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547571 | 1512909 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron interaction and 'memory' effects in the presence of mixed disorder
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have studied the effect of electron-electron interaction in the presence of mixed disorder on the conductivity and Hall effect of a high-mobility two-dimensional electron gas in a GaAs/AlGaAs heterostructure. A parabolic, negative, temperature-dependent magnetoresistance (MR) and temperature-dependent Hall effect are observed. We show that these effects can be explained in terms of the interaction theory. In addition, a temperature independent, positive MR is observed. This classical MR is also shown to be a consequence of the mixed disorder.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 34, Issues 1â2, August 2006, Pages 264-267
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 34, Issues 1â2, August 2006, Pages 264-267
نویسندگان
E.A. Galaktionov, A.K. Savchenko, D.A. Ritchie,