کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547598 | 1512909 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Localization and antilocalization in InSb and InAs antidot lattices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Localization and antilocalization in InSb and InAs antidot lattices Localization and antilocalization in InSb and InAs antidot lattices](/preview/png/1547598.png)
چکیده انگلیسی
We report on the observation of localization, antilocalization and Altshuler–Aronov–Spivak (AAS) oscillations in antidot lattices patterned on high-mobility InSb/InAlSb and InAs/AlGaSb heterostructures. In addition, the antidot lattices display ballistic commensurability features. The strength of the localization peak in InSb antidot lattices decreases exponentially with temperature, with a high characteristic temperature of ∼25 K between 0.4 and 50 K. Analysis of the AAS oscillations enables the extraction of phase and spin coherence lengths in InAs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 34, Issues 1–2, August 2006, Pages 363–366
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 34, Issues 1–2, August 2006, Pages 363–366
نویسندگان
J.A. Peters, Hong Chen, Yue Pan, Yafei Guan, J.J. Heremans, N. Goel, S.J. Chung, M.B. Santos, W. Van Roy, G. Borghs,