کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1547598 1512909 2006 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Localization and antilocalization in InSb and InAs antidot lattices
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Localization and antilocalization in InSb and InAs antidot lattices
چکیده انگلیسی

We report on the observation of localization, antilocalization and Altshuler–Aronov–Spivak (AAS) oscillations in antidot lattices patterned on high-mobility InSb/InAlSb and InAs/AlGaSb heterostructures. In addition, the antidot lattices display ballistic commensurability features. The strength of the localization peak in InSb antidot lattices decreases exponentially with temperature, with a high characteristic temperature of ∼25 K between 0.4 and 50 K. Analysis of the AAS oscillations enables the extraction of phase and spin coherence lengths in InAs.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 34, Issues 1–2, August 2006, Pages 363–366
نویسندگان
, , , , , , , , , ,