کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547676 | 1512907 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Si nanocrystals in silicon nitride: An ellipsometric study using parametric semiconductor models
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Low-pressure chemical vapour deposited Si3N4/nc-Si/Si3N4 layers prepared on Si substrates were characterized by spectroscopic ellipsometry. Model Dielectric Function (MDF) was applied to obtain the thickness and the dielectric spectra of the middle nc-Si layer. Sensitive effect of the deposition time was obtained on the MDF parameters. A comparison is presented between the studied samples and reference materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 38, Issues 1â2, April 2007, Pages 76-79
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 38, Issues 1â2, April 2007, Pages 76-79
نویسندگان
P. Basa, P. Petrik, M. Fried, L. Dobos, B. Pécz, L. Tóth,