کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547915 | 1512910 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Site control of InAs quantum dot nucleation by ex situ electron-beam lithographic patterning of GaAs substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Conventional electron-beam lithographic patterning of GaAs substrates followed by reactive-ion etching of small holes has been successfully used to control the nucleation of InAs dots. We have observed >50%>50% single dot occupancy for holes ∼60nm wide and ∼35nm deep and show that the dot occupancy and dot size can be varied by changing the size of the holes. Luminescence from an array of these site-controlled dots has been demonstrated. Thus this use of substrate patterning is a viable technique to controllably place single dots at pre-determined positions in devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 32, Issues 1–2, May 2006, Pages 21–24
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 32, Issues 1–2, May 2006, Pages 21–24
نویسندگان
P. Atkinson, M.B. Ward, S.P. Bremner, D. Anderson, T. Farrow, G.A.C. Jones, A.J. Shields, D.A. Ritchie,