کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547932 | 1512910 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dependence of photoluminescence of CdSe/ZnS on excitation wavelength
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have found that the photoluminescence (PL) intensity of CdSe/ZnS nanocrystals placed on a thin film of insulator (GaAsOx/GaAs) depends on excitation wavelength through the interference effects of the excitation light. By employing the multi-reflection/interference calculation, the insulator thickness of the underlying non-uniform patterns can be evaluated by the simple observation of CdSe/ZnS PL with a couple of excitation wavelengths. Moreover, the differences observed for the temporal evolution of CdSe/ZnS PL (blue shifts and degradation) among the excitation wavelengths suggest that the photo-induced changes of chemical composition and surface ligands are responsible for blue shifts and degradation, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 32, Issues 1–2, May 2006, Pages 89–92
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 32, Issues 1–2, May 2006, Pages 89–92
نویسندگان
Kazunari Ozasa, Shigeyuki Nemoto, Mizuo Maeda, Masahiko Hara,