کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547973 | 1512910 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of N cluster states on band dispersion in GaInNAs quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Influence of N cluster states on band dispersion in GaInNAs quantum wells Influence of N cluster states on band dispersion in GaInNAs quantum wells](/preview/png/1547973.png)
چکیده انگلیسی
We use a modified band-anticrossing (BAC) model to investigate the band dispersion in a GaNxAs1-x/AlGaAsGaNxAs1-x/AlGaAs quantum well (QW) as a function of hydrostatic pressure. The band edge mass increases considerably more quickly with pressure than in the case of a GaAs/AlGaAs QW, and the subband separation also decreases significantly. We predict that the strong anticrossing interaction between the GaAs host conduction band and isolated N levels will inhibit tunnelling through the QW for a range of energy above the isolated N levels. The energy of N resonant states depends strongly on details of the local environment, giving a broader calculated distribution of N states in GaInNAs compared to GaNAs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 32, Issues 1–2, May 2006, Pages 249–253
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 32, Issues 1–2, May 2006, Pages 249–253
نویسندگان
S.B. Healy, A. Lindsay, E.P. O’Reilly,