کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1548003 | 1512910 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial Heusler alloy Fe3Si films on GaAs(0Â 0Â 1) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present results on fabrication, and structural and electrical properties of single-crystal Fe3Si/GaAs(001) heterostructures grown by molecular beam epitaxy. The exact stoichiometry of the Heusler alloy films can be achieved for almost lattice matched films. As evidenced by high-resolution X-ray diffraction, transmission electron microscopy, and resistivity measurements, we find an optimum growth temperature of TG=250âC, to obtain ferromagnetic layers with high crystal and interface perfection as well as high degree of atomic ordering. .
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 32, Issues 1â2, May 2006, Pages 371-374
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 32, Issues 1â2, May 2006, Pages 371-374
نویسندگان
J. Herfort, B. Jenichen, V. Kaganer, A. Trampert, H.-P. Schönherr, K.H. Ploog,