کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1552761 | 1513209 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Cost-effective mask-sharing technology for SOI LIGBT and PLDMOS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Cost-effective mask-sharing technology for SOI LIGBT and PLDMOS Cost-effective mask-sharing technology for SOI LIGBT and PLDMOS](/preview/png/1552761.png)
چکیده انگلیسی
Cost-effective mask-sharing technology for the 200Â V silicon-on-insulator (SOI) lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) and p-channel lateral double-diffused MOS (PLDMOS) are proposed in this paper. N-well and P-body implantations are shared as an N-buffer implantation of the LIGBT and P-buffer implantation of the PLDMOS, respectively, which reduces two masks compared with the conventional process. The structure and process parameters for LIGBT and PLDMOS with the new process are optimized by simulation to achieve good performance. The experimental results indicate that the LIGBT and PLDMOS using the new process maintain the same performance compared to the conventional devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 92, April 2016, Pages 359-365
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 92, April 2016, Pages 359-365
نویسندگان
Yong Huang, Ming Qiao, Xin Zhou, Tao Liang, Yang Li, Zhaoji Li, Bo Zhang,