کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1552925 1513215 2015 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties and carrier transport mechanism in V/p-GaN Schottky diode at high temperature range
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electrical properties and carrier transport mechanism in V/p-GaN Schottky diode at high temperature range
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 86, October 2015, Pages 157-165
نویسندگان
, , , ,