کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1552925 | 1513215 | 2015 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties and carrier transport mechanism in V/p-GaN Schottky diode at high temperature range
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 86, October 2015, Pages 157-165
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 86, October 2015, Pages 157-165
نویسندگان
M. Siva Pratap Reddy, Aylin Bengi, V. Rajagopal Reddy, Ja-Soon Jang,