کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1553086 | 1513217 | 2015 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonlinear polarization and efficiency droop in hexagonal InGaN/GaN disk-in-wire LEDs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we computationally evaluate the influence of nonlinear piezoelectricity in a recently reported hexagon shaped In0.25Ga0.75N/GaN disk-in-wire light emitting diode (LED). To calculate the single-particle electronic states and the interband optical transition rates, we have employed a fully atomistic valence force field (VFF)-sp3sâ tight-binding framework coupled with a recently proposed (first-principles based) polarization model from Prodhomme et al. (2013). The microscopically determined transition parameters are then incorporated into an LED simulator to investigate how atomicity, strain relaxation, and the net polarization field affect the internal quantum efficiency and lead to a degraded droop characteristic.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 84, August 2015, Pages 91-98
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 84, August 2015, Pages 91-98
نویسندگان
Vinay Uday Chimalgi, Md Rezaul Karim Nishat, Shaikh Shahid Ahmed,