کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1553384 | 1513235 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bi-rich grow topological insulator Bi2Se3 nanodomains structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Bi-rich grow topological insulator Bi2Se3 nanodomains structures Bi-rich grow topological insulator Bi2Se3 nanodomains structures](/preview/png/1553384.png)
چکیده انگلیسی
Bi2Se3 hexagonal nanodomains structures have been synthesized under the condition of Bi-rich without surfactant. Bi-rich growth condition can result in the forming of quintuple-layer Bi2Se3 nanodomains through forming surface Se vacancy. Bi2Se3 nanodomains structures possess high crystal quality and Se defects without disrupting the host lattice. The forming mechanism of defects is discussed in details.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 66, February 2014, Pages 33-38
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 66, February 2014, Pages 33-38
نویسندگان
Guozhi Jia, Xionglong Wang, Qiang Li, Jianghong Yao,